🏭 公司概况

• 成立时间：2010年4月

• 上市时间：2022年4月

• 总部地址：辽宁省沈阳市浑南区水家900号

• 法定代表人：刘静

• 董事长：吕光泉

• 总经理：刘静

• 董秘：赵曦

• 注册资本：约2.83亿元

• 员工人数：1695人（截至2025年）

公司从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务，是国家高新技术企业。自成立以来，公司始终坚持自主研发、自主创新，在高端半导体专用设备领域持续深耕，重点聚焦薄膜沉积设备和应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备的研发与产业化。截至2025年，公司产品已投入超过70条芯片制造生产线，累计出货反应腔超3400个，进入约100条生产线。公司先后承担10余项国家重大专项，设备性能关键指标达到国际同类水平，实现了从“跟跑”“并跑”再到“领跑”的不断跨越。

公司创业时的核心技术骨干均为拥有深厚学术功底和丰富业界经验的华人科学家，凭借招揽海外高层次人才、自主培养本土科研团队，构建了一支国际化的研发技术团队，为我国半导体设备国产化作出了突出贡献。

🏛️ 股权结构

• 控股股东：无

• 实际控制人：无

• 第一大股东：国家集成电路产业投资基金，持股19.67%（截至2025年上半年）

• 董事长：吕光泉

• 总经理：刘静

公司股权结构较为分散，不存在控股股东和实际控制人。第一大股东为国家集成电路产业投资基金（简称“大基金”），是公司的核心战略投资方。董事长吕光泉直接及间接持股较多，是公司的关键核心管理层。

📊 主营业务与产品矩阵

公司目前已形成“薄膜沉积设备”+“三维集成设备”的双产品格局，前者为核心主业（营收占比超95%），后者为前瞻布局的第二增长曲线。

1. 薄膜沉积设备——核心主业

薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备，主要用于在晶圆表面沉积各类介质薄膜、半导体薄膜、金属薄膜。公司薄膜沉积设备已涵盖全系列介质薄膜材料，覆盖逻辑芯片和存储芯片制造所需的约100多种关键工艺应用。

公司薄膜沉积设备产品矩阵如下：

ALD设备是增速最快的细分品类（同比+191.82%）。截至2025年末，ALD设备累计出货超过140个反应腔，在集成电路领域的薄膜工艺覆盖率位居国产设备厂商首位。公司在ALD方向已实现SiO₂、SiN、SiCO等工艺设备客户放量，首台TiN工艺产品通过客户验证。

新平台产品持续推进：公司基于新型设备平台（PF-300T Plus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D），开发出PECVD Stack（ONO叠层）、ACHM、Bianca等先进制程机台，均已通过客户验证，实现产业化放量，应用于先进存储领域的PECVD OPN、SiB等先进工艺设备也已通过客户验证，持续获得客户复购订单。

2. 三维集成设备——第二增长曲线

三维集成设备是公司打造的第二增长曲线，主要为先进封装和三维集成领域提供系统级解决方案。该类设备与薄膜沉积设备形成产品互补，瞄准后摩尔时代三维异构集成发展趋势。

公司三维集成设备产品包括：晶圆对晶圆混合键合设备、晶圆对晶圆熔融键合设备、芯片对晶圆混合键合设备、键合套准精度量测设备及键合强度检测设备等。

💰 主要财务表现（2024-2026年）

公司近年营收高速扩张，受益于国产替代趋势及自身产品竞争力的持续强化。

关键解读：

① 季度业绩波动分析：2025年第一季度公司归母净利润亏损1.47亿元，主要系当季新产品、新工艺收入占比近67%，在客户验证阶段成本较高，导致毛利率显著下降；但随着新产品逐步通过验证、进入成熟量产阶段，2026年第一季度归母净利润即实现5.71亿元，毛利率回升至41.69%，盈利能力大幅改善。

② 经营现金流季度性波动：2025年全年经营现金流净额高达36.33亿元，但2026年第一季度转为-5.20亿元，主要系销售回款阶段性降低叠加业务规模扩大后采购支出、员工薪酬增加所致，属于正常节奏性波动。

③ 在手订单充裕：截至2025年末，公司在手订单金额约110亿元，合同负债达48.52亿元，较2024年末增长62.66%，为后续收入持续增长奠定坚实基础。

2020-2024年，公司营收由4.4亿元攀升至41.0亿元，复合年增长率约75%；累计营收近100亿元，累计研发投入超22亿元，展现出强劲的成长能力。

🔬 研发创新与知识产权

公司以自主创新为生命线，通过国际化高层次研发团队和持续的高强度研发投入，构建了深厚的技术壁垒。

公司建立了“生产一代、在研一代、预研一代”的三代产品研发策略，密切关注全球半导体产业的最新技术趋势，协同下游客户前瞻性布局研发工作。2024-2025年，公司自主研发并推出了10余款新产品/新工艺设备，包括Flowable CVD、PECVD Bianca、PECVD Supra-D Stack（ONO叠层）、ACHM（非晶碳硬掩膜）、ALD SiCO、SiN等薄膜沉积设备，以及多款先进键合设备，大部分已通过客户验证并实现产业化应用。

🌍 客户与市场地位

客户覆盖：公司产品已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片制造产线，客户覆盖包括国内主流晶圆制造龙头在内的超过70条芯片制造生产线。

市场地位：公司在国内薄膜沉积设备市场占据领先地位，随着产品竞争力持续提升，有望在现有国产化率不足20%的薄膜沉积设备市场中进一步提升份额，对应中国大陆薄膜沉积设备市场约为102亿美元。

全球薄膜沉积设备市场主要由应用材料（AMAT）、泛林半导体（Lam）和东京电子（TEL）三大国际巨头垄断，合计占据全球约70%的CVD市场份额。拓荆科技正通过不断提升产品性能、扩大客户覆盖，加速推进国产替代进程。

🏗️ 产能与定增募资

公司持续推进产能扩张，两大产业化基地已成型，正通过定增募资进一步扩大产能布局。

定增事项：公司向特定对象发行股票拟募资不超过46亿元，其中约15亿元用于高端半导体设备产业化基地建设，其余用于前沿技术研发中心项目及补充流动资金。该募资方案已获上海证券交易所审核通过。

🔭 战略方向

1. 深耕薄膜沉积设备主赛道

拓荆科技以PECVD设备为核心基石，横向拓展至ALD、HDPCVD、SACVD、Flowable CVD等多类关键设备，已形成全系列介质薄膜材料覆盖。2026年，公司将聚焦先进制程设备及工艺研发，拓展应用覆盖面及量产规模，持续获得客户复购和批量订单，不断扩大量产规模。2026年将布局超10款新产品/新工艺。

2. 打造三维集成设备第二增长曲线

随着半导体技术向三维集成方向发展，先进封装市场规模预计高速增长。公司将混合键合设备等三维集成设备作为第二增长曲线，持续布局晶圆对晶圆混合键合、芯片对晶圆混合键合等产品。公司研发的新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品已发往客户端验证，芯片对晶圆混合键合设备验证进展顺利。SEMICON China 2026展会上，公司发布了涵盖熔融键合、激光剥离等多款3D IC新品，重点聚焦先进逻辑芯片Chiplet异构集成、三维堆叠及HBM相关应用。

3. 推进平台化发展

公司通过持续高强度的研发投入，依托原有技术积累，围绕PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等核心技术体系，前瞻性地布局未来技术发展路线，深化产品技术覆盖，完善产品谱系。此外，公司将积极拓展海外市场，已在日本、新加坡等地布局设立子公司。

4. 践行“提质增效重回报”行动

公司2025年制定的“提质增效重回报”专项行动方案取得积极成效，实现营收、利润高速增长。2026年将继续推进多项举措：聚焦主业、强化供应链建设、保持高强度研发投入（预计年度专利申请增长超20%）、扩大研发人员规模、重视股东回报，持续通过现金分红等方式回报投资者。

5. 高强度研发驱动增长

公司研发投入占营收比例在半导体设备行业居前。2026年公司计划保持高强度研发投入，预计年度专利申请增长超20%，扩大研发人员规模，在先进制程、三维集成、混合键合等技术领域加大攻关力度，持续保持行业技术领先地位。

📋 公司关键信息一览